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IRFP460B

器件型号:IRFP460B
厂商名称:Vishay
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器件描述

D Series Power MOSFET

IRFP460B器件文档内容

                 www.vishay.com                                                                IRFP460B, SiHG460B

                                                                                                            Vishay Siliconix

                                        D Series Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY                                                              FEATURES
                                                                             � Optimal Design
VDS (V) at TJ max.                                550      0.25
RDS(on) max. at 25 �C ()          VGS = 10 V                                      - Low Area Specific On-Resistance
Qg max. (nC)                                                                      - Low Input Capacitance (Ciss)
Qgs (nC)                                          170                             - Reduced Capacitive Switching Losses
Qgd (nC)                                           14                             - High Body Diode Ruggedness
Configuration                                      28                             - Avalanche Energy Rated (UIS)
                                                Single                       � Optimal Efficiency and Operation
                                                                                  - Low Cost
                                                        D                         - Simple Gate Drive Circuitry
                                                                                  - Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg
       TO-247AC                                                                   - Fast Switching
                                                                             � Material categorization: For definitions of compliance
                                   G                                            please see www.vishay.com/doc?99912

                      S                              S                       Note
                                        N-Channel MOSFET
                    D                                                        * Lead (Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant.
                 G
                                                                                Exemptions may apply.
ORDERING INFORMATION
                                                                             APPLICATIONS
Package                                                                      � Consumer Electronics
Lead (Pb)-free
Lead (Pb)-free and Halogen-free                                                   - Displays (LCD or Plasma TV)
                                                                             � Server and Telecom Power Supplies

                                                                                  - SMPS
                                                                             � Industrial

                                                                                  - Welding
                                                                                  - Induction Heating
                                                                                  - Motor Drives
                                                                             � Battery Chargers
                                                                             � SMPS
                                                                                  - Power Factor Correction (PFC)

                                                                           TO-247AC
                                                                           IRFP460BPbF

                                                                           SiHG460B-GE3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 �C, unless otherwise noted)

PARAMETER                                                                            SYMBOL        LIMIT      UNIT
                                                                                                     500
Drain-Source Voltage                                                                 VDS            � 20        V
                                                                                                      30
Gate-Source Voltage                                                                  VGS              20        A
                                                                                                      13
Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)                                                                     62      W/�C
                                                                                                     2.2       mJ
Continuous Drain Current (TJ = 150 �C)                     VGS at 10 V  TC = 25 �C   ID              281        W
                                                                        TC = 100 �C                  278       �C
Pulsed Drain Currenta                                                                                         V/ns
Linear Derating Factor                                                               IDM       - 55 to + 150   �C
                                                                                                      24
Single Pulse Avalanche Energyb                                   TJ = 125 �C           EAS          0.36
Maximum Power Dissipation                                                              PD           300c
Operating Junction and Storage Temperature Range                                     TJ, Tstg
Drain-Source Voltage Slope
Reverse Diode dV/dtd                                                                  dV/dt

Soldering Recommendations (Peak Temperature)                     for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 �C, L = 10 mH, Rg = 25 , IAS = 7.5 A.
c. 1.6 mm from case.

d. ISD  ID, starting TJ = 25 �C.

S12-0812-Rev. B, 16-Apr-12                                              1                      Document Number: 91502

                                        For technical questions, contact: hvm@vishay.com

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                          ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
           www.vishay.com                                                                IRFP460B, SiHG460B

                                                                                                      Vishay Siliconix

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER                                SYMBOL       TYP.                               MAX.                                 UNIT
                                                        -                                  40                                 �C/W
Maximum Junction-to-Ambient              RthJA          -                                0.45
Maximum Junction-to-Case (Drain)         RthJC

SPECIFICATIONS (TJ = 25 �C, unless otherwise noted)

PARAMETER                                SYMBOL       TEST CONDITIONS                                      MIN. TYP.          MAX. UNIT

Static                                     VDS        VGS = 0 V, ID = 250 A                                500          -        -     V
Drain-Source Breakdown Voltage           VDS/TJ                                                                                  -   V/�C
VDS Temperature Coefficient               VGS(th)  Reference to 25 �C, ID = 250 A                          -            0.56     4
Gate-Source Threshold Voltage (N)                                                                                             � 100    V
Gate-Source Leakage                        IGSS       VDS = VGS, ID = 250 A                                2            -        1    nA
                                                                                                                                10
                                                               VGS = � 20 V                                -            -     0.25    A
                                                                                                                                 -
Zero Gate Voltage Drain Current          IDSS         VDS = 500 V, VGS = 0 V                               -            -            
                                                                                                                                       S
                                                   VDS = 400 V, VGS = 0 V, TJ = 125 �C                     -            -

Drain-Source On-State Resistance         RDS(on)   VGS = 10 V            ID = 10 A                         -            0.2
Forward Transconductance                   gfs
Dynamic                                               VDS = 50 V, ID = 10 A                                -            12
Input Capacitance                         Ciss
Output Capacitance                        Coss                  VGS = 0 V,                                 -            3094  -
Reverse Transfer Capacitance              Crss                 VDS = 100 V,
Effective output capacitance, energy                                                                       -            152   -
relateda                                  Co(er)                f = 1 MHz
Effective output capacitance, time                                                                         -            13    -
relatedb                                  Co(tr)                                                                                        pF
Total Gate Charge                                          VGS = 0 V,                                      -            131
Gate-Source Charge                         Qg         VDS = 0 V to 400 V                                                      -
Gate-Drain Charge                          Qgs
Turn-On Delay Time                        Qgd                                                              -            189   -
Rise Time                                 td(on)
Turn-Off Delay Time                                                                                        -            85    170
Fall Time                                   tr
Gate Input Resistance                     td(off)  VGS = 10 V  ID = 10 A, VDS = 400 V                      -            14    -      nC
Drain-Source Body Diode Characteristics
                                            tf                                                             -            28    -
                                           Rg
                                                                                                           -            24    50

                                                      VDD = 400 V, ID = 10 A,                              -            31    62
                                                      VGS = 10 V, Rg = 9.1                                                                ns
                                                                                                           -            117
                                                                                                                              176

                                                                                                           -            56    112

                                                      f = 1 MHz, open drain                                -            1.8   -      

Continuous Source-Drain Diode Current    IS        MOSFET symbol                                        D  -            -     20
                                                   showing the                                                                            A
Pulsed Diode Forward Current             ISM       integral reverse          G                             -            -
                                                   p - n junction diode                                 S                     80

Diode Forward Voltage                    VSD       TJ = 25 �C, IS = 10 A, VGS = 0 V                        -            -     1.2    V

Reverse Recovery Time                     trr                                                              -            437   -      ns
Reverse Recovery Charge                   Qrr
Reverse Recovery Current                 IRRM       TJ = 25 �C, IF = IS = 10 A,                            -            5.9   -      C
                                                   dI/dt = 100 A/s, VR = 20 V
                                                                                                           -            25    -      A

Notes

a. Coss(er) is a fixed capacitance that gives the same energy as Coss while VDS is rising from 0 % to 80 % VDS.
b. Coss(tr) is a fixed capacitance that gives the same charging time as Coss while VDS is rising from 0 % to 80 % VDS.

S12-0812-Rev. B, 16-Apr-12                         2                                                            Document Number: 91502

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                   www.vishay.com                                                                                                                                                                       IRFP460B, SiHG460B
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 �C, unless otherwise noted)
                                                                                                                                                                                                                     Vishay Siliconix

                                 80                                                                                                                                                       3

                                        TOP 15 V

ID, Drain-to-Source Current (A)         14 V          TJ = 25 �C

                                        13 V                                                    RDS(on), Drain-to-Source
                                                                                                   On Resistance (Normalized)
                                        12 V                                                                                                                                              2.5     ID = 10 A
                                        1111 VV
                                 60
                                        10 V

                                        9V

                                        8V                                                                                                                                                2

                                        7V

                                        6V

                                          BOTTOM 5 V                                                                                                                                      1.5

                                 40

                                 20                                                                                                                                                         1

                                                                                                                                                                                                                                         VGS = 10 V
                                                                                                                                                                                          0.5

                                 0                                                                                                                                                        0
                                                                                                                                                                                          - 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
                                     0  5             10 15 20 25 30
                                                                                                                                                                                                       TJ, Junction Temperature (�C)
                                        VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

                                    Fig. 1 - Typical Output Characteristics                     Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature

                                 40                                                             10 000

                                        TOP 15 V

ID, Drain-to-Source Current (A)         14 V          TJ = 150 �C

                                        13 V

                                        12 V                                                                                                                                                                        
                                        1111 VV
                                 30                                                                                                                      1000                                     Ciss         VGS = 0 V, f = 1 MHz
                                        10 V                                                    Capacitance (pF)

                                        9V                                                                                                                                                                     Ciss     =  Cgs  +  Cgd,  Cds  Shorted
                                                                                                                                                                                                               Crss     =  Cgd
                                        8V                                                                                                                                                                                                  

                                        7V

                                        6V                                                                                                                                                                     Coss = Cds + Cgd

                                          BOTTOM 5 V                                                                                                     100                                      Coss               

                                 20

                                 10                                                                                                                                                       10                  

                                                                                                                                                                                                  Crss

                                 0                                                                                                                                                        1

                                     0  5             10          15      20         25  30                                                                                                    0        100    200         300           400         500

                                        VDS, Drain-to-Source Voltage (V)                                                                                                                                VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

                                    Fig. 2 - Typical Output Characteristics                     Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage

                                 80                                                                                                                                                       24
                                                                        TJ = 25 �C
ID, Drain-to-Source Current (A)                                                                                                                          VGS, Gate-to-Source Voltage (V)                                VDS = 400 V
                                 60
                                                                                                                                                                                          20                            VDS = 250 V
                                                                        TJ = 150 �C                                                                                                                                     VDS = 100 V
                                 40
                                                                                                                                                                                          16

                                                                                                                                                                                          12

                                                                                                                                                        8
                                 20

                                                                                                                                                        4

                                 0                                                                                                                                                        0

                                     0     5              10          15             20  25                                                                                                    0        30 60           90 120 150 180

                                        VGS, Gate-to-Source Voltage (V)                                                                                                                                 Qg, Total Gate Charge (nC)

                                 Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics                      Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage

S12-0812-Rev. B, 16-Apr-12                                                                   3                                                                                                                             Document Number: 91502

                                                                              For technical questions, contact: hvm@vishay.com

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                          ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
                                                                      www.vishay.com                                                                                                               IRFP460B, SiHG460B

                                                                                                                                                                                                                Vishay Siliconix

                                100                                                                                                                                                        20

ISD, Reverse Drain Current (A)                                        TJ = 150 �C                                                                                   ID, Drain Current (A)  16

                                10                                                            TJ = 25 �C

                                                                                                                                                                                           12

                                                                                                                                                                                           8

                                      1                                                      

                                                                                                                                                                                           4

                                                                                                VGS = 0 V  

                                0.1                                                                                                                                                        0
                                    0.2
                                                                      0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6                                                                                              25  50   75  100  125          150
                                                                       VSD, Source-Drain Voltage (V)
                                                                                                                                                                                                   TJ, Case Temperature (�C)

                                Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage                                                         Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature

                                1000                                  Operation in this area                                                                             625
                                 100                                  limited by RDS(on)                                                                                 600
                                                                                                                                                                         575
ID, Drain Current (A)           10                                                                         100 s                            VDS, Drain-to-Source         550
                                                                                                                                                Brakdown Voltage (V)     525
                                                                      Limited by RDS(on)*                                                                                500
                                                                                                                                                                         475
                                  1                                                                                   1 ms
                                         TC = 25 �C                                           BVDSS Limited 10 ms                                                            - 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
                                         TJ = 150 �C                                                                                                                                   TJ, Junction Temperature (�C)
                                         Single Pulse
                                                                                                                                                                    Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
                                0.1

                                      1                                     10                100          1000

                                                   VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
                                         * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified

                                         Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area

                                      Normalized Effective Transient  1
                                        Thermal Impedance
                                                                            Duty Cycle = 0.5

                                                                                0.2

                                                                               0.1

                                                                      0.1

                                                                               0.02

                                                                               0.05

                                                                              Single Pulse

                                                                      0.01

                                                                      0.0001                       0.001                    0.01                                                                   0.1           1

                                                                                                                            Pulse Time (s)

                                                                                           Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case

S12-0812-Rev. B, 16-Apr-12                                                                                                  4                                                                               Document Number: 91502

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                                                                                                           Vishay Siliconix

                 VDS                    RD                               10 V                               QG
          VGS                     D.U.T.                                             QGS                    QGD
     RG
                                               +- VDD                      VG

        10 V

     Pulse width  1 �s
     Duty factor  0.1 %

Fig. 12 - Switching Time Test Circuit                                                          Charge
                                                                         Fig. 16 - Basic Gate Charge Waveform

VDS                                                                             Current regulator
90 %                                                                           Same type as D.U.T.

                                                                                                      50 k

                                                                         12 V                 0.2 �F

                                                                                                            0.3 �F

10 %                                                                                                                             +
  VGS                                                                                                               D.U.T. - VDS

       td(on) tr                  td(off) tf                             VGS

                                                                                                      3 mA

Fig. 13 - Switching Time Waveforms                                                                          IG      ID

                                                                                                      Current sampling resistors

                                         L                               Fig. 17 - Gate Charge Test Circuit

                        VDS         D.U.T                      +
Vary tp to obtain                 IAS                          - VDD
required IAS
                                        0.01
                 RG

                   10 V
                              tp

Fig. 14 - Unclamped Inductive Test Circuit

                                                 VDS

                                  tp
                                                          VDD

VDS

  IAS
Fig. 15 - Unclamped Inductive Waveforms

S12-0812-Rev. B, 16-Apr-12                                            5                                             Document Number: 91502

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                                                                                                                       Vishay Siliconix

                                              Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit

                               D.U.T.                        +             Circuit layout considerations

                            +                                              � Low stray inductance
                            -
                                                                           � Ground plane

                                                                           � Low leakage inductance

                                                                           current transformer

                                                             -

                                                                                         -      +

                            Rg                                  � dV/dt controlled by Rg                                  +

                                                                � Driver same type as D.U.T.                              - VDD
                                                                � ISD controlled by duty factor "D"

                                                                � D.U.T. - device under test

                                        Driver gate drive

                                        P.W.               Period                        D=   P.W.
                                                                                             Period

                                                                                                          VGS = 10 Va

                                        D.U.T. lSD waveform

                            Reverse

                            recovery                         Body diode forward
                            current                                   current
                                                                                  dI/dt

                                        D.U.T. VDS waveform        Diode recovery

                                                                           dV/dt
                                                                                                                     VDD

                            Re-applied                          Body diode forward drop
                            voltage     Inductor current

                                                           Ripple  5 %                                    ISD

                                        Note
                                        a. VGS = 5 V for logic level devices

                                                             Fig. 18 - For N-Channel

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91502.

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                                                                               Package Information

                                                                                            Vishay Siliconix

TO-247AC (HIGH VOLTAGE)

            B                 4                       A                                     A          (Datum B)
      3 R/2                E                                                      7 �P                      �P1
                                                               A2           � k M DBM
                                E/2 S                           A                                                       5
                                                                               D2                                 D1
      Q

      2xR                              D

      (2)

                        12      3                     D                                         4

                                                                            Thermal pad

      5 L1

             C                         L                                                             5
                                                                                                    E1
                                          See view B              A                            0.01 M D B M
                                                            C                                  View A - A
      2 x b2                    2x e                    A1
                                                                                                 (b1, b3, b5)
      3xb                  b4                         D DE E
                                                                     CC
      0.10 M C A M

                                                                            Planting                              Base metal
                                                                                                                  c1
                                                                                         (c)

                                                      View B                                          (b, b2, b4)
                                                                                                                    (4)

                                                                                              Section C - C, D - D, E - E

      MILLIMETERS                        INCHES                             MILLIMETERS                                    INCHES

DIM.  MIN.              MAX.       MIN.   MAX.                     DIM.     MIN.                MAX.           MIN.               MAX.

A     4.65              5.31       0.183  0.209                    D2       0.51                1.30           0.020              0.051

A1    2.21              2.59       0.087  0.102                          E  15.29               15.87          0.602              0.625

A2    1.50              2.49       0.059  0.098                    E1       13.72               -              0.540               -

b     0.99              1.40       0.039  0.055                          e     5.46 BSC                           0.215 BSC

b1    0.99              1.35       0.039  0.053                    �k                    0.254                             0.010

b2    1.65              2.39       0.065  0.094                          L  14.20               16.10          0.559              0.634

b3    1.65              2.37       0.065  0.093                    L1       3.71                4.29           0.146              0.169

b4    2.59              3.43       0.102  0.135                          N     7.62 BSC                0.300 BSC

b5    2.59              3.38       0.102  0.133                    �P       3.56                3.66           0.140              0.144

c     0.38              0.86       0.015  0.034                    � P1     -                   7.39           -                  0.291

c1    0.38              0.76       0.015  0.030                    Q        5.31                5.69           0.209              0.224

D     19.71             20.70      0.776  0.815                          R  4.52                5.49           0.178              0.216

D1    13.08             -          0.515         -                       S     5.51 BSC                           0.217 BSC

ECN: S-81920-Rev. A, 15-Sep-08
DWG: 5971

Notes

1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Contour of slot optional.
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the

   outermost extremes of the plastic body.
4. Thermal pad contour optional with dimensions D1 and E1.
5. Lead finish uncontrolled in L1.
6. � P to have a maximum draft angle of 1.5 to the top of the part with a maximum hole diameter of 3.91 mm (0.154").
7. Outline conforms to JEDEC outline TO-247 with exception of dimension c.

Document Number: 91360                                                                                                     www.vishay.com
Revision: 15-Sep-08                                                                                                                            1
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Revision: 12-Mar-12  1           Document Number: 91000
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